聯電美光案 智財法院撤銷原判決改輕判罰2000萬獲緩刑
記憶體大廠美光與晶圓代工大廠聯電官司纏訟近五年，兩公司在台灣與美國均有司法案。繼去年11月26日兩公司宣布世紀大和解，更成為合作伙伴後，在台灣智慧財產及商業法院的官司今天宣判，撤銷原判決，改判戎樂天無罪及公訴不受理、何建廷及王永銘各判1年、6月徒刑，兩人均緩刑，聯電處罰金2千萬，但緩刑2年。全案可上訴。
事件起源於美光指控，曾任職台灣美光的經理何建廷、經理王永銘，在離職後將美光營業秘密帶槍投靠聯電，交給聯電高層主管戎樂天，並因聯電與大陸晉華公司合作開發記憶體，簽署合約協定若聯電成功研發DRAM，需將技術轉移晉華而演變成美中戰。
台灣司法部分，因聯電與何等三人不認罪，台中地院一審2020年6月12日宣判，何建廷處有期徒刑5年6月，併科罰金5百萬元；王永銘處4年6月，併科罰金4百萬元；戎樂天處有期徒刑6年6月，併科罰金6百萬元，並判聯電處罰金3千萬、5千萬、4千萬元，應執行罰金1億元。聯電不服判決，上訴智財法庭。
美國部分，美國司法部依盜竊商業秘密罪起訴聯電與晉華，2020年10月聯電在刑事官司改口認罪，與美國司法部達成和解，支付罰金6,000萬美元（約新台幣17.33億元），去年11月26日，兩公司大和解。
智財法院調查，何建廷在偵查期間，坦承他未依保密合約主動刪除、銷毀營業秘密，接獲提醒刪除或銷毀函文後，仍未刪除或銷毀，並將在美光時的電磁紀錄下載，帶到聯電公司，將美光營業秘密提供給聯電參考，協助聯電量產DRAM晶圓。
王永銘在何建廷牽線下跳槽聯電公司，卻趁還在美光公司時將美光營業秘密轉存備份，到跳槽後將營業秘密提出，參照美光數據、開發F32 DRAM設計規則，藉此略過部分過程測試，降低製作設計規則成本。王在偵查時坦承，他將美光25奈米DRAM設計規則提供相關數據給聯電上司戎樂天，且參照數據是聯電無法以逆向工程推算的。
聯電公司部分，法院指出，聯電在美國刑事訴訟程序中承認未盡合理防止行為，在發現何建廷與另一位員工公司筆電中含有「Micron」（美光）為檔名的作業紀錄檔，卻未採取任何改正措施等，認為聯電對何建廷、王永銘兩人侵害美光營業秘密行為，未盡到防免義務。
針對兩人與戎樂天、聯電涉犯營業秘密法境外侵害營業秘密罪嫌部分，智財法院認為，何建廷自美光離職並帶槍投靠聯電後，才知道聯電公司與大陸福建晉華公司合作案，因此認定他並無至大陸地區使用意圖。王永銘雖於偵查時坦承戎樂天要他提供F32設計規則目的，是為完成聯電公司與晉華公司合作案，為一審認定有在境外使用營業秘密意圖，但智財法院認為自白不得作為有罪判決唯一證據，此部分改判處無罪。
智財法院審酌何建廷、王永銘美光公司簽訂有保密及智慧財產權合約，卻為轉職利益，重製、使用美光營業秘密，，更提供DR25nmS設計規則參數數值給聯電主管戎樂天，影響美光公司權益甚鉅，考量兩人犯後態度、動機，依營業秘密法知悉並持有營業秘密等罪處有期徒刑1年，併科罰金1百萬元，如易服勞役，緩刑4年，期間付保護管束，並提供200小時義務勞務；王永銘依營業秘密法以侵占而取得他人營業秘密罪，處有期徒刑6月，併科罰金1百萬元，緩刑2年，期間內付保護管束，並提供100小時義務勞務；戎樂天無罪，其餘公訴不受理。
聯電公司部分，因聯電已與美光達成和解，美光還請法院從輕量刑，在檢察官同意下，協議認罪可宣告緩刑，但聯電公司應積極謀求補償，法院依其受僱人執行業務犯營業秘密法以侵占而取得他人營業秘密罪、知悉並持有營業秘密，逾越授權範圍而重製營業秘密罪，各處罰金1千萬元、合計共2千萬元，緩刑2年。
<資料來源：聯合新聞網 / 柯毓庭，https://udn.com/news/story/7321/6064475?from=udn-catebreaknews_ch2>